THGJFLT1E45BATP

Kioxia America
757-THGJFLT1E45BATP
THGJFLT1E45BATP

製造商:

說明:
新通用閃存儲存-UFS SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 256GB UFS v4.0 Gen12

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
ECAD模型:
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供貨情況

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工廠前置作業時間:
20 週 工廠預計生產時間。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$2,401.56 NT$2,401.56
NT$2,215.44 NT$22,154.40
NT$2,143.08 NT$53,577.00
NT$2,088.72 NT$104,436.00
NT$2,076.84 NT$207,684.00
250 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Kioxia
產品類型: 新通用閃存儲存-UFS
RoHS:  
256 GB
2.4 V to 2.7 V
Serial
- 25 C
+ 85 C
BGA-153
13 mm x 11 mm x 0.8 mm
Gen 12
Tray
應用: Mobile Applications
品牌: Kioxia America
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: JP
最高數據率: 4.6 GB/s
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品: Universal Flash Storage - UFS
產品類型: Universal Flash Storage (UFS)
原廠包裝數量: 152
電源電壓 - 最大值: 2.7 V
電源電壓 - 最小值: 2.4 V
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若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

THGAF管理型NAND快閃記憶體

Toshiba THGAF管理型NAND快閃記憶體為3D通用快閃記憶體 (UFS),採用最先進的64層BiCS Flash 3D快閃記憶體技術。3D消費型UFS能為行動應用提供高速讀取/寫入效能和低耗電量。THGAF NAND快閃記憶體內含整合式控制器,可提供錯誤校正、耗損平均技術和損壞磁區管理功能。這些裝置的介面相容於JEDEC/UFS 2.0版,使用者無需執行NAND專屬控制。THGAF管理型NAND快閃記憶體提供32 GB、64 GB、128 GB和256 GB等容量選擇,且均符合JEDEC UFS 2.1版標準。其典型應用包括智慧型手機、平板電腦、擴增/虛擬實境以及汽車。