VS-4C30E3P07L-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C30E3P07L-M3
VS-4C30E3P07L-M3

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 SicG4TO-2473L

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新產品:
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規格書:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$262.08 NT$262.08
NT$174.24 NT$1,742.40
NT$143.64 NT$14,364.00
NT$121.68 NT$60,840.00
NT$110.88 NT$110,880.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-247AD-3
Single
30 A
650 V
1,33 V
180 A
125 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C30E3P07L-M3
Tube
品牌: Vishay Semiconductors
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 273 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 500
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
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所選屬性: 0

規格書

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Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

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