+886-2-2799-2096

TTI Family of Specialists旗下成員聯絡Mouser (台北) +886-2-2799-2096 意見回應

更改位置

庫存量

RoHS

登入
新客戶？在此處開始
登入
新客戶？在此處開始

訂單記錄

製造商	製造商編號：	數量	合并总计

瀏覽購物車

似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

發現錯誤嗎?

VS-FC420SA15

Name: Vishay VS-FC420SA15
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-FC420SA15
Price: 958.32 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-VS-FC420SA15

製造商編號：

VS-FC420SA15

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET模組 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod

規格書:

VS-FC420SA15 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay Semiconductors VS-FC420SA15的資訊

庫存量: 377

庫存：: 377 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$958.32	NT$958.32
	NT$698.04	NT$6,980.40
	NT$663.84	NT$66,384.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	400 A
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	909 W
封裝:	Tube
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	PH
下降時間:	142 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	285 ns
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	ThunderFET
類型:	MOSFET
標準斷開延遲時間:	120 ns
標準開啟延遲時間:	139 ns
Vf - 順向電壓:	950 mV
Vr - 反向電壓:	150 V
每件重量:	30 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High Voltage MOSFET Modules

Vishay High Voltage MOSFET Modules manage very high currents in low voltage power converters. These MOSFET modules include single switch power MOSFETs which feature ThunderFET^® and TrenchFET^® technologies. The high voltage MOSFET modules also include power MOSFETs which offer a fully isolated package, low on-resistance, dynamic dV/dt rating, and low drain to case capacitance. Vishay High Voltage MOSFET Modules provide an excellent combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance, and cost-effectiveness.