GP3T016A120H

SemiQ
148-GP3T016A120H
GP3T016A120H

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

壽命週期:
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規格書:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$462.24 NT$462.24
NT$323.64 NT$3,236.40
NT$263.52 NT$31,622.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
350 A
23 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
260 nC
- 55 C
+ 175 C
484 W
Enhancement
品牌: SemiQ
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: PH
下降時間: 20 ns
互導 - 最小值: 29 S
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 25 ns
系列: GP3T
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 65 ns
標準開啟延遲時間: 21 ns
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所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET 獨立裝置

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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