似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Name: Infineon F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L8MR12W2M1HPB1
Price: 4186.8 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-F3L8MR12W2M1HPB1

製造商編號：

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET模組 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

規格書:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1的資訊

庫存量: 25

庫存：: 25 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 8 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$4,186.80	NT$4,186.80
	NT$4,130.28	NT$41,302.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
系列:	M1H
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
配置:	3-Phase Inverter
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
產品:	SiC IGBT Modules
產品類型:	MOSFET Modules
原廠包裝數量:	18
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EasyPACK CoolSiC
零件號別名:	F3L8MR12W2M1HP_B11 SP005562921

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。