RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

製造商：

說明：
IGBT POWER TRS1

壽命週期:
受限供貨情況:
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規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 4

庫存：
4 可立即送貨
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$522.72 NT$522.72
NT$390.60 NT$3,906.00
NT$337.32 NT$40,478.40
NT$319.32 NT$162,853.20
NT$298.44 NT$304,408.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Renesas Electronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
品牌: Renesas Electronics
集電極最大連續電流Ic : 20 A
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: MY
柵射極漏電電流: 1 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RJP65T43DPM High Speed Switching IGBT

Renesas Electronics RJP65T43DPM High Speed Switching IGBT is a 650V, 20A IGBT with a 20kHz to 100kHz operating frequency range. This IGBT offers low collector-to-emitter saturation voltage and comes in a TO-3PFM package. The RJP65T43DPM IGBT features a 150A collector peak current, 68.8W collector dissipation, and 175°C junction temperature. This IGBT is stored in the -55°C to 150°C temperature range, and typical applications include Power Factor Correction (PFC).

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