ISSI 嵌入式解決方案

嵌入式解決方案的類型

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結果: 3,714
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI NOR快閃 16M QSPI, 8-pin SOP 150mil ET
最少: 1
倍數: 1
最大: 5,133
: 3,000

ISSI NOR快閃 32M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET
最少: 1
倍數: 1
最大: 6,778
: 2,000

ISSI NOR快閃 32M QSPI, 8-pin SOP 150mil ET
最少: 1
倍數: 1
最大: 4,842
: 3,000

ISSI NOR快閃 128M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V
900在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,450

ISSI NOR快閃 128M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V
12,000在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 8,533
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
最少: 1
倍數: 1
最大: 137

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
136在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 291

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
最少: 1
倍數: 1
最大: 143

ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 101庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 42

ISSI DRAM 32Gb 1.06-1.17/1.70-1.95V LPDDR4 1Gx32 2133MHz 200 ball BGA (10mmx14.5mm)
最少: 1
倍數: 1
最大: 2

ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 437

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
272在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 605
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
最少: 1
倍數: 1
最大: 165

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 50

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
最少: 1
倍數: 1
最大: 93


ISSI 新通用閃存儲存-UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin & WP#, TR
最少: 1
倍數: 1
最大: 822
: 2,500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R 2,447庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 594
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
最少: 1
倍數: 1
最大: 854
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
最少: 1
倍數: 1
最大: 137

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
最少: 1
倍數: 1
最大: 649
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT
最少: 1
倍數: 1
最大: 869

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
171在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200


ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
675在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 151

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
最少: 1
倍數: 1
最大: 188
: 1,500