ISSI 嵌入式解決方案

嵌入式解決方案的類型

變更類別視圖
結果: 3,714
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 190
倍數: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 190
倍數: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 190
倍數: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 190
倍數: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 190
倍數: 190

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 無庫存前置作業時間 7 週
最少: 104
倍數: 104

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 210
倍數: 210

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin sTSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 96
倍數: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 96
倍數: 96