ISSI DRAM

結果: 1,826
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
規格書
81庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
規格書
126庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI DRAM 64M, 1.8V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS
規格書
22庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 963

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 506

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 1,008

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 2,500
捲: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
規格書
272在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 145

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 441

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
規格書
1,140在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 996

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 1,597

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 782

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 699

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 333

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16256B
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 137

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
規格書
136在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 291

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 143

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 42

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 32Gb 1.06-1.17/1.70-1.95V LPDDR4 1Gx32 2133MHz 200 ball BGA (10mmx14.5mm)
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 2

SDRAM - LPDDR4 32 Gb 32 bit 2.133 GHz BGA-200 1 Gb x 32 1.7 V 1.95 V Tray
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
136在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 437

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
規格書
272在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 605
SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
最大： 165

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
136在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 50

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray