ISSI DRAM

結果: 1,825
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 無庫存前置作業時間 3 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz 前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel