ISSI SRAM

結果: 1,230
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm) 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 105
倍數: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 144
倍數: 144

18 Mbit 1 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 580 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 105
倍數: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 72
倍數: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 7.5ns Sync SRAM 3.3v 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 72
倍數: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 72
倍數: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,7.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 72
倍數: 72
最大: 200

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel