ATP Electronics 記憶體模組

結果: 1,366
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
存儲容量
存儲類型
速度
工作電源電壓
最高工作溫度
插腳數
ATP Electronics A4G04QC6BNRCSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFME
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFSE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNWEMRV
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
ATP Electronics A4G04QC6BNWESCV
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
ATP Electronics A4G04QC6BNWESE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNWESO
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 500
倍數： 50
ATP Electronics A4G08QA8BNPBMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNRCMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNRCSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFME
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFSE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
ATP Electronics A4G08QA8BNVFSW
ATP Electronics 記憶體模組 WT 8GB Non-ECC SODIMM 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
ATP Electronics A4G08QA8BNWEMRV
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
ATP Electronics A4G08QA8BNWESCV
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50