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V40170C-M3/4W

Name: Vishay V40170C-M3/4W
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-V40170C-M3/4W
Price: 87.48 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-V40170C-M3/4W

製造商編號：

V40170C-M3/4W

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

肖特基二極體及整流器 40A 170V TrenchMOS

規格書:

V40170C-M3/4W 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$87.48	NT$87.48
	NT$59.04	NT$590.40
	NT$39.24	NT$39,240.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	肖特基二極體及整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
產品:	Schottky Rectifiers
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
配置:	Dual Anode Common Cathode
技術:	Si
If - 順向電流:	40 A
Vrrm - 重複反向電壓:	170 V
Vf - 順向電壓:	860 mV
Ifsm - 順向浪湧電流:	200 A
Ir - 反向電流:	250 uA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	V40170C
封裝:	Tube
品牌:	Vishay Semiconductors
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	Schottky Diodes & Rectifiers
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	TMBS
Vr - 反向電壓:	170 V
每件重量:	1.850 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

V40170C-M3/4W 規格書

PCN

Product Change Notification 2024-10-01 (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor 170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature a wide range of current ratings from 10A to 80A in the power TO-220AB, TO-263AB, and TO-3PW packages. With low forward voltage drops down to 0.65V typical at 30A, these Vishay General Semiconductor rectifiers are designed for telecom power supplies.

eSMP® SMPA Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductors eSMP® SMPA Schottky Rectifiers are a patented Trench MOS Barrier Schottky (TMBS®) rectifiers that are available with seven voltage ratings from 45V to 200V and several different package options to serve a wide range of system requirements. TMBS offers several advantages over planar Schottky rectifiers. As operating voltage moves to 45V and above, planar Schottky rectifiers tend to lose their advantage of fast switching speeds and low forward voltage drop to a substantial degree. The Vishay General Semiconductors patented TMBS structure addresses this issue by diminishing minority carrier injections to the drift region, thus minimizing stored charges and improving switching speeds.