4402 電晶體

結果: 20
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
規格書
12,383庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
規格書
2,834庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
MOSFETs
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
規格書
暫無庫存
最少： 250
倍數： 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

MOSFETs Si
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
規格書
暫無庫存
最少： 50
倍數： 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM 氮化鎵場效應管 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
規格書
暫無庫存
最少： 50
倍數： 50
: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
規格書
暫無庫存
最少： 50
倍數： 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
規格書
2,427庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM 氮化鎵場效應管 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
規格書
暫無庫存
最少： 250
倍數： 250
: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
規格書
暫無庫存
最少： 250
倍數： 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Infineon Technologies RF雙極結體管 RF BIP TRANSISTOR
規格書
96,627庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 2,500
倍數： 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 2 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 6 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
規格書
無庫存前置作業時間 2 週
最少： 2,500
倍數： 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 6 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 2 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
規格書
5,000在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel