STMicroelectronics IGBT

結果: 203
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
資格
封裝
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
規格書
493庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
規格書
199庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
規格書
更多資訊可用
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 35 A 32 W - 55 C + 150 C STGF19NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 125 W - 55 C + 150 C STGP19NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBT N-chnl 600V-20A Med Freq
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBT Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
規格書
600在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.77 V 20 V 85 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65FB Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
規格書
前置作業時間 14 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 2,000
倍數： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 2,000
倍數： 1,000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube