PowerSaver 記憶體 IC

記憶體 IC的類型

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結果: 182
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v 2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SRAM TSOP-32
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel