onsemi NTBG028N170M1 1700V 碳化矽 (SiC) MOSFET
Onsemi NTBG028N170M1 1700V 碳化矽 (SiC) MOSFET 針對快速開關應用進行優化。Onsemi MOSFET採用平面技術，可透過負閘極電壓驅動實現可靠工作，並在閘極上關閉衝擊。該系列在使用 20V 柵極驅動時具有最佳性能，同時還可與 18V 柵極驅動充分搭配。
特點
- 典型 RDS(on) = 28mΩ
- 超低柵極電荷（典型）QG(tot) = 222nC)
- 低有效輸出電容（典型）Coss = 200pF)
- 100% 經電子雪崩檢測
- 符合 RoHS 規定
應用
- UPS
- 直流-直流轉換器
- 升壓轉換器
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發佈日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2023-11-02