onsemi 單閘N和P通道功率MOSFET
onsemi單閘N和P通道功率MOSFET具備小腳位的精巧設計，低RDS(on)以將導電耗損減至最低；低QG及電容，將驅動耗損減至最低。onsemi單閘N和P通道功率MOSFET無鉛，適合需要符合AEC−Q101認證要求的工廠及變更控制的汽車及其他應用。
特點
- Small footprint
- Low RDS(on)
- Low QG
- Low capacitance
- Lead−free devices
規格
- 60VDS drain-source breakdown voltage
- 52mΩ RDS(on) drain-source resistance
- 14A continuous drain current
發佈日期: 2011-08-19
| 更新日期: 2022-03-11