ROHM Semiconductor SiC蕭特基障壁二極體
ROHM Semiconductor® SiC（碳化矽）蕭特基障壁二極體具有很小的總電容式電荷 (Qc)，可減少開關損耗，實現高速開關運作。此外，與trr隨溫度增加的矽基快速恢復二極體不同，SiC裝置維持恆定特性，可提供更高效能。這使得它們適用於各種應用的關鍵裝置，包括用於EV和太陽能電力調節器的變頻器和充電器。
提供多種封裝類型，如TO-247、TO-220FM和TO-220ACP，以滿足不同的電流和功耗要求。
特點
- 低開關損耗
- 縮短恢復時間
- 降低溫度依賴性
- 可提供高速開關
應用
- 開關式電源供應器
- 太陽能逆變器
- UPS
- EV充電器
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影片
發佈日期: 2013-05-02
| 更新日期: 2024-09-06