離散半導體模組

離散半導體模組
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結果: 853
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
類型
技術
Vf - 順向電壓
Vr - 反向電壓
Vgs - 閘極-源極電壓
安裝風格
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies V61-14.80M
Infineon Technologies 離散半導體模組 STD THYR/DIODEN DISC
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Screw Mount - 40 C + 130 C Tray
Infineon Technologies V72-26.120MS
Infineon Technologies 離散半導體模組 CLAMPING DEVICE 無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Tray
Infineon Technologies V72-26.80 M
Infineon Technologies 離散半導體模組 STD THYR/DIODEN DISC 無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Tray
Infineon Technologies V89-26.120N
Infineon Technologies 離散半導體模組 STD THYR/DIODEN DISC 無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Tray
Infineon Technologies V89-26.240N
Infineon Technologies 離散半導體模組 STD THYR/DIODEN DISC 無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Tray
Infineon Technologies V89-26.300N
Infineon Technologies 離散半導體模組 STD THYR/DIODEN DISC
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Tray
Infineon Technologies V89-26.400N
Infineon Technologies 離散半導體模組 STD THYR/DIODEN DISC
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

Thyristor-Diode Modules Si Tray
Infineon Technologies TDB6HK180N22RRPB11BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 LOW POWER ECONO
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 10
倍數： 10

Thyristor-Diode Modules Si Screw Mount TDB6HK180N22RRP11 Tray
Infineon Technologies DDB6U180N22RBPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 LOW POWER ECONO 無庫存前置作業時間 12 週
最少： 15
倍數： 15

Si Tray
Infineon Technologies DF400R07W2S5FB77BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 EASY 無庫存前置作業時間 10 週
最少： 15
倍數： 15

Si Tray
Infineon Technologies F3L11MR12W2M1HB19BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 3 Level 1200V CoolSiC Trench MOSFET in EasyPACK
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 15
倍數： 15

Si Tray
Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HB11BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 15
倍數： 15

Si Tray
Infineon Technologies F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

Si Tray
Infineon Technologies FS28MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC Trench MOSFET Sixpack Module 1200 V 28 mOhm in EasyPACK 無庫存前置作業時間 8 週
最少： 24
倍數： 24

Si Tray
Infineon Technologies FS33MR12W1M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC 1200 V 33 mOhm Trench MOSFET in EasyPACK 無庫存前置作業時間 8 週
最少： 30
倍數： 30

Si Tray
Infineon Technologies TDB6HK180N16RRB48BPSA2
Infineon Technologies 離散半導體模組 LOW POWER ECONO 無庫存前置作業時間 12 週
最少： 15
倍數： 15

Thyristor-Diode Modules Si Screw Mount Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 12
倍數： 12

SiC Modules SiC Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 THYR / DIODE MODULE DK
規格書
無庫存前置作業時間 53 週
最少： 2
倍數： 2

Thyristor-Diode Modules Si Screw Mount - 40 C + 135 C Tray
IXYS 離散半導體模組 100 Amps 200V 0.023 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 10
倍數： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS 離散半導體模組 150 Amps 100V
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS 離散半導體模組 170 Amps 100V
規格書
暫無庫存
最少： 150
倍數： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS 離散半導體模組 32 Amps 600V
規格書
暫無庫存
最少： 10
倍數： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN32N60 Tube
IXYS 離散半導體模組
規格書
暫無庫存
最少： 6
倍數： 6
Si PCT - Capsule Type
IXYS 離散半導體模組
規格書
暫無庫存
最少： 6
倍數： 6
Si PCT - Capsule Type
IXYS 離散半導體模組
規格書
暫無庫存
最少： 6
倍數： 6
Si PCT - Capsule Type