IXYS 碳化矽MOSFET

結果: 29
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
規格書
88庫存量
更多資訊可用
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
87庫存量
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement

IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
規格書
4,159庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS 碳化矽MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
規格書
548庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
規格書
1,867庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
規格書
423庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
規格書
900庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263
規格書
894庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
規格書
900庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
規格書
900庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
規格書
2,090庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL
規格書
2,095庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL
規格書
2,100庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
規格書
388庫存量
400在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
規格書
478庫存量
400在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
規格書
286庫存量
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
規格書
472庫存量
400在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement
IXYS IXFN27N120SK
IXYS 碳化矽MOSFET SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
規格書
14庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT HiPerFET
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
規格書
795庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
規格書
760庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
394庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement