記憶體模組

結果: 2,000
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
存儲容量
存儲類型
速度
工作電源電壓
最高工作溫度
插腳數
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50

ATP Electronics 記憶體模組 8GB ULP Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 8GB ULP Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 8GB ULP Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 8GB ULP Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 8GB ULP Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 8GB ULP Unbuffered ECC Module
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered Non ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered Non ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered Non ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered Non ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered Non ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered Non ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unbuffered ECC Module- ISSI DRAM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 1,000
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 2GB Unbuffered Non ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 2GB Unbuffered Non ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 2GB Unbuffered Non ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 2GB Unbuffered Non ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 記憶體模組 2GB Unbuffered Non ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin