IS49NLS93200 系列 DRAM

結果: 10
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400Mhz RLDRAM2
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 2.38 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 2.38 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400Mhz RLDRAM2
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 2.38 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 2.38 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104
否
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104
否
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded IT
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104
否
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded IT
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104
否
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray