碳化矽MOSFET

碳化矽MOSFET
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結果: 1,322
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱


Diodes Incorporated 碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
規格書
50庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Coherent 碳化矽MOSFET 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
規格書
139庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
規格書
210庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24
規格書
746庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
776庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
規格書
389庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
規格書
1,492庫存量
1,800在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
規格書
663庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
規格書
523庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
規格書
583庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
Wolfspeed 碳化矽MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
規格書
1,816庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
規格書
671庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
規格書
111庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
655庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
規格書
1,330庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
規格書
2,010庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
規格書
2,008庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
1,285庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
規格書
990庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
1,197庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
規格書
4,159庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
規格書
1,458庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
規格書
2,422庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
規格書
3,299庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
3,914庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC