碳化矽MOSFET

碳化矽MOSFET
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結果: 1,297
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
140庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMDQ75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
規格書
35庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R007M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
15庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
112庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
規格書
67庫存量
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
63庫存量
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
規格書
49庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
規格書
24庫存量
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
118庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
134庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R011M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
15庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
70庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R025M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
100庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
80庫存量
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1
捲: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
288庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
290庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
規格書
78庫存量
更多資訊可用
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
268庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
270庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
703庫存量
更多資訊可用
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Central Semiconductor 碳化矽MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
規格書
27庫存量
30在途量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L
規格書
2,250庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7
規格書
639庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
規格書
781庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC